SK海力士将砸15.5兆韩元建存储器新工厂

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记忆工厂。 新工厂位于韩国清昌道省北部，与旧海力士工厂相邻。据日经新闻报道，海力士已经获得了25万平方米的土地，并与青州市政府签署了合作备忘录。新工厂预计将于2018年正式开工，并于2019年投产。 新工厂的确切产品仍不清楚，但海力士的一名官员暗示，它应该是与非门 内存，如果所有新工厂都投入到nand内存的生产中，Hynix现有的nand内存容量将扩大两倍以上。 此外，海力士还宣布，它已开始在现有的青州工厂大规模生产先进的3d nand 芯片将于4月初发货。它的同行三星 2013年，电子产品率先将3d nand芯片商业化，而日本东芝公司(Toshiba Corporation)计划本月开始运送这种芯片。 海力士目前是全球性的 第二大dram制造商，但如果说到nand芯片，Hynix仅排在第五位，仅次于三星和东芝。 Sandisk和 美光。由于英特尔现在正积极重返内存市场，其目标是锁定nand芯片，预计未来竞争将更加激烈。